High-power MOS tube/IGBT driver IC型号工作电压静态电流I/O拉电流I/O灌电流上升时间下降时间开延时关延时封装 直接替换HM2006B10V-20V/高端工作电压120V150uA0.45A0.9A70nS60nS120nS120nSSOP-8替代电动车/平衡车分立元件方案HM210611V-30V/高端工作电压100V4.5mA0.8A1A400nS200nS3
High-power MOS tube/IGBT driver IC
型号 | 工作电压 | 静态 | I/O拉 | I/O灌 | 上升 | 下降 | 开 | 关 | 封装 | 直接替换 |
HM2006B | 10V-20V/高端 | 150uA | 0.45A | 0.9A | 70nS | 60nS | 120nS | 120nS | SOP-8 | 替代电动车/ |
HM2106 | 11V-30V/高端 | 4.5mA | 0.8A | 1A | 400nS | 200nS | 300nS | 400nS | SOP-8 | 低压版本IR2106/ |
HM2103 | 11V-30V/高端 | 4.5mA | 0.8A | 1A | 400nS | 200nS | 300nS | 400nS | SOP-8 | 低压版本IR2103/ |
HM2103B | 2.8V-20V/高端 | 5uA | 1.0A | 1.5A | 120nS | 80nS | 280nS | 125nS | SOP-8 | IR2103/IR2108 |
HM2101 | 10V-20V/高端 | 150uA | 0.3A | 0.6A | 90nS | 40nS | 20nS | 20nS | SOP-8 | IR2101/IR2106/IR2308 |
HM2101B | 2.8V-20V/高端 | 5uA | 1.0A | 1.5A | 120nS | 80nS | 280nS | 125nS | SOP-8 | IR2101/IR2106/IR2308 |
| HM2103A | 10V-20V/ 耐压25V/ 高端工作 电压600V | 300uA | 2.0A | 2.5A | 600nS | 280nS | 600nS | 190nS | SOP-8 | 3.3V/5V/15V输入逻辑兼容，输出电压在8V- 25V，内置9.3V欠压保护功能，防止功率管在 过低的电压下工作 |
| HM2103F | 10V-25V/ 耐压35V/ 高端工作 电压300V | 300uA | 1.2A | 1.5A | 200nS | 154nS | 72nS | 15nS | SOP-8 | 3.3V/5V/15V输入逻辑兼容，内置9.3V欠压保 护功能，防止功率管在过低的电压下工作 |
| HM2103E | 8.0V-20V 耐压25V/ 高端工作 电压250V 耐压275V | 460uA | 1.6A | 2.3A | 12nS | 8nS | 350nS | 100nS | SOP-8 | 3.3V/5V输入逻辑兼容，高端输出与高端输入同相，低端输出与低端输入反相，内置6.7V欠压保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；内置输入信号滤波，防止输入噪声干扰；内置直通防止和250nS死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件 |
HM2103C | 10V-20V/高端 | 300uA | 1.0A | 1.0A | 15nS | 15nS | 150nS | 50nS | SOP-8 | 3.3V/5V输入逻辑兼容,高端输出与高端输入同 |
HM2103D | 4.0V-13.2V/ | 440uA | 1.7A | 2.3A | 15nS | 11nS | 160nS | 60nS | SOP-8 | 3.3V/5V输入逻辑兼容,内置多种防共态导通和 |
HM2104M | 3.0V-21V/高 | 400uA | 1.2A | 1.8A | 30nS | 20nS | 140nS | 70nS | MSOP-10 | 3.3V/5V输入逻辑兼容,死区时间可调，通过调 整外部电阻控制死区时间；带2.8V欠压保护， 防止功率管在过低电压下工作；集成使能关断 功能，能同时关断高低通道HO、LO输出；高 端输出与输入同相，低端输出与输入反相；工 作温度范围:-40-125℃ |
HM2007 | 3.3V-5.5V/ | 110uA | 2.0A | 2.0A | 80nS | 20nS | 200nS | 80nS | SOP-8 | 支持3.3V CMOS电平，采用半桥达林顿管输出 结构，替代无线充电分立元件方案，大幅提高 良率，提高响应速度，可以应用于无线充产品 |
单通道大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号 | 工作 | 静态 | I/O | I/O | 上升 | 下降 | 开延时 | 关延时 | 封装 | 直接替换 |
HM2531 | 5V-18V | 0.57mA | 0.5A | 0.5A | 20nS | 20nS | 200nS | 80nS | SOT-25 | 可推1200V 25A IGBT/可以驱 |
| HM2583 | 10V-20V 耐压25V | 120uA | 1.5A | 1.5A | SOT-25 | IRS44273 单通道低侧栅极驱动IC，兼容 3.3V/5V/12V PWM输入，输出 驱动由输入信号控制，带输入 9.2V欠压锁死功能，可以驱动 MOS管等各种功率开关 | ||||
HM2117 | 3V-30V | 2mA | 1A | 1.2A | 80nS | 20nS | 200nS | 80nS | SOP-8 | 兼容IR2117 |
三相半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
型号 | VCC 工作 电压 | 高端 | 静态 | I/O拉 | I/O | 上升 | 下降 | 开延时 | 关延时 | 封装 | 直接替换 |
HM6103F | 4.5V- 20V 耐压 25V | 300V | 1.6mA | 1.2A | 1.5A | 600nS | 280nS | 150nS | 50nS | TSSOP-20 | FD6287/FD6288独立的三相半桥驱动3.3V/5V/15V输入逻辑兼容，内置9.3V欠压保护功能，防止功率管在过低的电压下工作；内置直通防止和200nS死区时间，防止功率管发生直通，有效保护 |
